NTMFS4922NET1G

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

NTMFS4922NET1G datasheet

• Маркировка
  NTMFS4922NET1G
• Производитель
  ON Semiconductor
• Описание
  ON Semiconductor NTMFS4922NET1G Configuration: Single Continuous Drain Current: 29.1 A Drain-source Breakdown Voltage: 30 V Fall Time: 9.4 ns Forward Transconductance Gfs (max / Min): 80 S Gate Charge Qg: 34 nC Gate-source Breakdown Voltage: 20 V Maximum Operating Temperature: + 150 C Minimum Operating Temperature: - 55 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: SON-8 Power Dissipation: 2.72 W Resistance Drain-source Rds (on): 1.45 mOhms Rise Time: 36.2 ns Rohs: yes Transistor Polarity: N-Channel
• Количество страниц
  7 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet NTMFS4922NET1G.pdf
Файл формата Pdf 119,37 KB